An der
Oracle OpenWorld 2015 hat Intel mehr Leistungsdetails zu seiner neuen
Speichertechnik 3D XPoint vorgeführt. Das Flash-Zellen-Konstrukt, das ohne Transistoren auskommt, basiert auf einer erweiterten dreidimensionalen Struktur aus mehreren Säulen. Die Technologie, die um den Faktor 1000 effektiver sein soll als herkömmlicher Flash-Speicher in NAND-Technik, hat Intel im August an seinem jährlichen Entwicklerforum erstmals erwähnt.
Als Vergleich wurde die
Enterprise-SSD Intel P3700 herbeigezogen. Gemessen wurden Befehle pro Sekunde (IOPS) und Latenz. Beide PCI-Express-SSD-Laufwerke wurden über das NVMe-Protokoll angesprochen. Im Test schaffte das Optane-Laufwerk mit 3D XPoint gleich die vierfache IOPS-Leistung. Die Latenz war dabei ums Sechsfache reduziert.
Den nicht flüchtigen Crosspoint-Speicher will Intel auch auf DDR4-RAM-Riegel bringen, um die Performance zwischen Arbeits- und Festspeicher drastisch anzukurbeln. Der Intel-CEO Brian Krzanich hielt ein bereits ein Muster-Modul in den Händen. Zu ersten
SSDs mit der neuen Technik wiederholte sich Intels Boss erneut: Die Chipschmiede glaubt daran, schon im nächsten Jahr entsprechende Laufwerke in den Handel zu bringen. Erste DDR4-Testsamples will man noch in diesem Jahr anbieten können. Mehr technische Details oder einen genauen Zeitplan nannte Intel nicht.